[发明专利]基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明属于紫外光电探测器技术领域，具体涉及基于氧化镓异质结结构的紫外光光电探测器及其制备方法，包括α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃以及Ti/Au薄膜电极，α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片是由α‑Ga2O3纳米片作为内核，β‑Ga2O3作为外壳包裹于α‑Ga2O3纳米片外围构成。本发明的紫外光电探测器件性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有很好的紫外光电响应。且制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好等特点，有望在自供电火焰探测，高压线电晕、导弹羽辉等领域得到广泛应用，具有很好的推广价值。

主权项

基于氧化镓异质结结构的紫外光电探测器，其特征在于，包括α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片阵列、ITO透明导电玻璃以及Ti/Au薄膜电极，α‑Ga2O3/β‑Ga2O3异质结纳米片是由α‑Ga2O3纳米片作为内核，β‑Ga2O3作为外壳包裹于α‑Ga2O3纳米片外围构成。