[发明专利]一种无水泡的低应力多晶硅薄膜制作方法

摘要

本发明最主要是提供一种无水泡的低应力多晶硅薄膜制作的方法，它涉及非晶硅退火结晶成为多晶硅以及多晶硅应力的控制。在非晶硅退火的过程中，非晶硅薄膜以及下面的二氧化硅薄膜会释放出大量H2，随着H2的增加会导致有一部分累积在二氧化硅薄膜与多晶硅薄膜的交界处，那么累积的H2过多就会使多晶硅薄膜产生水泡。本发明所提供的方法可以有效解决这一问题，制作出低应力的多晶硅薄膜。

主权项

一种无水泡的低应力多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于：包括多晶硅薄膜应力控制过程和非晶硅薄膜退火成多晶硅薄膜过程；所述多晶硅应力控制过程的步骤包括：1）在基底上沉积200～1000nm厚的二氧化硅薄膜作为中间层；2）使用RTP快速退火技术对二氧化硅薄膜进行退火，控制薄膜应力；3）在上述退火之后的二氧化硅薄膜上沉积300～500nm非晶硅薄膜；所述非晶硅薄膜退火成多晶硅薄膜过程的步骤包括：1）在上述沉积的非晶硅薄膜上曝光、显影出多晶硅薄膜图案；2）进行RIE刻蚀，在非晶硅薄膜上刻蚀出多晶硅薄膜结构；3）刻蚀完成后进行退火处理，使非晶硅结晶成多晶硅薄膜。