[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，依次包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，P型氮化物半导体，V‑pits侧壁的偏振光控制层，其特征在于多量子的V‑pits侧壁具有偏振光控制层，该偏振光控制层由SiN_x/MgN_y或MgN_y/SiN_x形成的多周期超晶格核壳结构的量子点构成，具有双重偏振光调制功能：SiN_x/MgN_y或MgN_y/SiN_x形成多重偏振光转换界面，使TM偏振光在界面处转换为TE偏振光，同时，该偏振光控制层调控量子阱的价带顶能带排序，使量子阱的价带顶能带排序从晶体场分裂能CH带占据价带顶第一子带位置变成重空穴HH带占据价带顶第一子带位置，提升TE偏振光的出射比例，降低TM偏振光比例，从而，提升深紫外半导体发光二极管的光提取效率和外量子效率。

主权项

1.一种氮化物半导体发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，V‑pits，P型氮化物半导体，V‑pits侧壁的偏振光控制层，其特征在于：所述多量子阱由阱层和垒层构成的量子结构，V‑pits位于量子阱内部，所述V‑pits侧壁的偏振光控制层由SiN_x/MgN_y或MgN_y/SiN_x的多周期超晶格核壳结构的量子点构成，位于量子阱的内部，所述多周期超晶格核壳结构由核层和壳层组成，所述核层由SiN_x或MgN_y的球状量子点构成，位于V‑pits侧壁对应量子阱的阱层位置，其直径不超过阱层厚度，所述壳层由SiN_x和MgN_y形成的多周期超晶格构成，位于V‑pits侧壁对应量子阱的垒层位置，其壳层厚度不超过垒层厚度的一半；所述V‑pits侧壁的偏振光控制层具有双重偏振光调制功能：首先，SiN_x/MgN_y或MgN_y/SiN_x形成多重偏振光转换界面，使量子阱出射的TM偏振光在转换界面处转换为TE偏振光；其次，该偏振光控制层调控量子阱的价带顶能带排序，使量子阱的价带顶能带排序从晶体场分裂能CH带占据价带顶第一子带位置变成重空穴HH带占据价带顶第一子带位置，提升TE偏振光的出射比例，降低TM偏振光比例，从而，提升深紫外半导体发光二极管的光提取效率和外量子效率。