[发明专利]基于CMOS技术的混频器在审
| 申请号： | 201711006892.6 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107659271A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李正军 | 申请（专利权）人： | 成都西井科技有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/14 | 分类号： | H03D7/14 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于CMOS技术的混频器，包括负载级单元、开关级单元和跨导级单元；所述负载级单元、开关级单元和跨导级单元依次连接；所述负载级单元包括第一电感L1、第七电容C7、第二电感L2、第八电容C8、第五电容C5和第六电容C6；所述L1的一端、C7的一端和C5的一端共节点，且L1的另一端和C7的另一端连接电源VDD，C5的另一端连接输出端正极RF+；所述L2的一端、C8的一端和C6的一端共节点，且L2的另一端和C8的另一端连接电源VDD，C6的另一端连接输出端负极RF‑。本发明基于CMOS技术的混频器，通过布置上述电路元器件，降低了所需电源电压，并且降低了功耗，从而降低了电阻的噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cmos 技术 混频器 | ||
【主权项】：
基于CMOS技术的混频器，其特征在于，包括负载级单元(1)、开关级单元(2)和跨导级单元(3)；所述负载级单元(1)、开关级单元(2)和跨导级单元(3)依次连接；所述负载级单元(1)包括第一电感L1、第七电容C7、第二电感L2、第八电容C8、第五电容C5和第六电容C6；所述L1的一端、C7的一端和C5的一端共节点，且L1的另一端和C7的另一端连接电源VDD，C5的另一端连接输出端正极RF+；所述L2的一端、C8的一端和C6的一端共节点，且L2的另一端和C8的另一端连接电源VDD，C6的另一端连接输出端负极RF‑。
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