[发明专利]一种高压平面闸流管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711005291.3 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107644905A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 许志峰;周健 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本发明采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 平面 流管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压平面闸流管器件，其特征在于：包括N型FZ硅片，所述N型FZ硅片的背面设有PWELL区，所述PWELL区的背面设有阳极电极，所述N型FZ硅片的四周环设有与PWELL区连通的P型隔离区，所述N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，所述玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，所述玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，所述N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，所述短基区的上部设有NWELL区，所述NWELL区的正面设有阴极电极，所述短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。
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