[发明专利]利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法在审
| 申请号： | 201710992023.9 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN107845601A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王承伟;徐海宾;王伟;赵裕兴 | 申请（专利权）人： | 苏州德龙激光股份有限公司;江阴德力激光设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，键合片由载体、涂覆至载体的释放层、涂覆至释放层的粘合层、涂覆至晶圆的保护层以及晶圆键合形成。纳秒紫外激光辐照键合片，打断键合胶的化学键，使其失去黏性，从而分开键合的载体与晶圆。该方法不仅避免了键合胶的损伤，改善了拆键合质量，而且提高了激光拆键合的加工效率。平顶分布的紫外激光辐照键合片，其加工效率比高斯分布的激光高数倍。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 平顶 紫外 激光 拆键合 方法 | ||
【主权项】：
利用平顶纳秒紫外激光拆键合的方法，其特征在于：激光以呈平顶分布的光斑辐照于键合片，所述键合片由载体、涂覆至载体的释放层、涂覆至释放层的粘合层、涂覆至晶圆的保护层以及晶圆键合形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
