[发明专利]重复性缺陷的筛选方法有效
| 申请号： | 201710987031.4 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN107768267B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 陈超;郭贤权;许向辉;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明的一种重复性缺陷的筛选方法，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k |
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| 搜索关键词： | 重复性 缺陷 筛选 方法 | ||
【主权项】：
一种重复性缺陷的筛选方法，其特征在于，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
