[发明专利]垂直存储器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201710983668.6 | 申请日： | 2017-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108022928B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李晙硕;金泓奭;安宰永;林汉镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00;H10B41/27;H10B43/00;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及垂直存储器件及制造其的方法。一种垂直存储器件包括具有下半导体图案结构和上半导体图案的第一结构以及围绕第一结构的侧壁的多个栅电极，下半导体图案结构填充衬底上的凹陷并在基本上垂直于衬底的上表面的第一方向上从衬底的上表面突出，下半导体图案结构包括顺序堆叠的第一未掺杂半导体图案、掺杂半导体图案和第二未掺杂半导体图案，并且掺杂半导体图案的下表面低于衬底的上表面，上半导体图案在下半导体图案结构上在第一方向上延伸，所述多个栅电极分别在多个层处从而在第一方向上彼此间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直存储器件，包括：第一结构，其包括：下半导体图案结构，其填充衬底上的凹陷并在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上从所述衬底的所述上表面突出，所述下半导体图案结构包括顺序堆叠的第一未掺杂半导体图案、掺杂半导体图案和第二未掺杂半导体图案，并且所述掺杂半导体图案的下表面低于所述衬底的所述上表面，以及上半导体图案，其在所述下半导体图案结构上在所述第一方向上延伸；以及围绕所述第一结构的侧壁的多个栅电极，所述多个栅电极分别处于多个层从而在所述第一方向上彼此间隔开。
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