[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710980467.0 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109686797A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;吴煜东;戴小平;史晶晶;王弋宇 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/24;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 碳化硅外延层 肖特基二极管 肖特基金属层 肖特基接触 石墨烯层 复合 金属原子 漏电流 减小 制造 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。
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