[发明专利]一种基于FVF控制的LDO电路

摘要

本发明公开了一种基于FVF控制的LDO电路，其特征在于，包括偏置电路、FVF控制电路、负载电路，本发明创造的电路结构以FVF控制电路为核心，相对于现有的LDO电路，本发明创造在低功耗、大负载电流、高电源抑制比、瞬态响应等各个参数指标中均具有良好的表现，满足未来LDO电路的发展需要。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。

主权项

一种基于FVF控制的LDO电路，其特征在于，包括：偏置电路(1)、FVF控制电路(2)、负载电路(3)；所述偏置电路(1)由：PMOS晶体管M1、M4、M6、M7、NMOS晶体管M2、M5、M8、电阻R1、R2构成，所述M1的栅极分别与所述M4、M6的栅极连接，所述M1的漏极与所述M2的漏极连接，所述M2的栅、漏极、所述M5的栅极汇集连接于第一偏置输出节点(a)，所述M5的漏极与所述M4的漏极连接，所述M5的源极与所述R1的一端连接，所述M6的漏极与所述M7的源极连接，所述M7的栅、漏极、所述R2的一端汇集连接于第二偏置输出节点(b)，所述R2的另一端分别与所述M8的栅、漏极连接，所述M2、M8的源极、R1的另一端分别对地GND连接，所述M1、M4、M6的源极分别与电源VDD连接，所述M1、M4、M6、M7的衬底分别与电源VDD连接，所述M2、M5、M8的衬底分别与地GND连接；所述FVF控制电路(2)由：PMOS晶体管M9、MP、M10、M12，NMOS晶体管M11、M13构成，所述M9的漏、栅极、MP的栅极、M10的源极汇集连接于第一节点(A)，所述M10的栅极、M12的漏极、所述M13漏极汇集连接于第二节点(B)，所述MP的漏极、所述M12的源极汇集连接于第三节点(C)，所述第三节点(C)与基于FVF控制的LDO电路的输出端(b1)连接，所述M13的栅极与所述M11的栅极连接，所述M11的漏极与所述M10的漏极连接，所述M11、M13的源极分别对地GND连接，所述M9、MP的源极分别与电源VDD连接，所述M9、MP、M10、M12的衬底分别与电源VDD连接，所述M11、M13的衬底分别对地GND连接；所述负载电路(3)由电容CL、电阻RL构成，所述电容CL、电阻RL互相并接；所述偏置电路(1)的第一偏置输出节点(a)分别与所述FVF控制电路(2)的M11、M13的栅极连接，所述偏置电路(1)的第二偏置输出节点(b)与所述FVF控制电路(2)的M12的栅极连接，所述负载电路(3)一端连接所述输出端(b1)，另一端对地GND连接。