[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201710934832.4 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109659290B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 柴娜;钱洪涛;赵九洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有虚拟铝焊盘；在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层。根据本发明的半导体器件的制造方法，在半导体晶圆上形成虚拟铝焊盘，在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层，所述虚拟铝焊盘上的吸氟层作为清洁点能够均匀的吸收残留氟，避免残留氟与芯片铝焊盘发生反应，从而防止芯片铝焊盘上结晶的发生。根据本发明的半导体器件的制造方法和半导体器件可以大大提升晶圆的抗腐蚀能力和存储条件，有效减少晶圆表面缺陷产生的几率，防止晶圆报废，提高了产品在封装过程中的使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有虚拟铝焊盘；在所述虚拟铝焊盘上形成吸氟层。
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