[发明专利]闪存存储单元的双数据读取验证方法和设备有效
| 申请号： | 201710933662.8 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109637575B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李婷;王欣;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提出了一种双数据读取验证的方法和设备。所述方法主要用于闪存存储单元的编程验证操作中，以快速找到高阈值存储单元和低阈值存储单元。在后续的编程过程中，对高阈值存储单元和低阈值存储单元采用相同的字线电压、不同的编程位线电压，对高阈值存储单元采用的位线电压大于对低阈值存储单元采用的位线电压，从而减小高阈值存储单元的阈值变化，使其能够与低阈值存储单元同步地达到编程态(P态)。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储 单元 双数 读取 验证 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储单元的双数据读取验证方法，所述存储单元排列成阵列并且与相应的位线和字线相连，其中高阈值存储单元的阈值电压分布在小于编程态阈值电压(VVR)但大于低阈值存储单元的阈值电压(VPVR)的区域，低阈值存储单元的阈值电压分布在小于低阈值存储单元的阈值电压(VPVR)的区域，所述编程态阈值电压是验证电压，所述低阈值存储单元的阈值电压是预验证电压，所述方法包括：确定存储单元的当前阈值电压；如果所述当前阈值电压小于所述预验证电压，则确定所述存储单元为低阈值存储单元；如果所述当前阈值电压大于或等于所述预验证电压并且小于等于所述验证电压，则确定所述存储单元为高阈值存储单元；如果所述当前阈值电压大于所述验证电压，则确定所述存储单元处于编程态。
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