[发明专利]一种全固态的电场可重构磁光器件有效
| 申请号： | 201710933019.5 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107678190B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;朱银龙;秦俊;梁潇;张燕;王闯堂 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。 | ||
| 搜索关键词： | 磁光效应 操控 电场 全固态 磁性绝缘体 磁光器件 磁性薄膜 材料层 可调 半导体 半导体工艺 磁性介质层 等比例缩小 静态功耗 离子导电 离子迁移 均匀性 可重构 微米级 细丝 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种全固态的电场可重构磁光器件，由从下至上依次堆叠的固态的底电极、磁性介质层、可调材料层和顶电极四个部分构成，其特征在于：/n底电极与顶电极不能有电气连接；磁性介质层选用厚度小于1μm的磁性材料；/n所述可调材料层在外加电压作用下，其内部能建立电场且其透光性能可被电场调控，厚度小于1μm；电场驱动该层材料中的离子发生迁移，改变了材料的性质，从而减弱/增强透过可调材料层的光强；/n所述顶电极能被光源穿透。/n
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