[发明专利]在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度有效
| 申请号： | 201710912237.0 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887327B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;山下天孝;程慷果;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在垂直晶体管替代栅极流程中控制自对准栅极长度，其中，一种半导体结构包括半导体衬底，位于半导体衬底上方的第一垂直晶体管的底部源/漏层，位于该源/漏层上方的垂直沟道，以及包覆该垂直沟道的金属栅极，该垂直沟道在与该金属栅极之间的接口处相对金属栅极具有固定高度。半导体结构还包括位于该垂直沟道上方的顶部源/漏层，以及至各顶部及底部源/漏层及该栅极的自对准接触。半导体结构可通过以下步骤实现：提供上方具有底部源/漏层的半导体衬底，在底部源/漏层上方形成垂直沟道，形成包覆垂直沟道的伪栅极，以及分别围绕垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 替代 栅极 流程 控制 对准 长度 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供半导体衬底，其上方具有底部源/漏层；在该底部源/漏层上方形成垂直沟道；形成包覆该垂直沟道的伪栅极；分别围绕该垂直沟道的顶部及底部形成底部间隙壁层及顶部间隙壁层，该垂直沟道的剩余中心部分定义固定垂直沟道高度；在该垂直沟道上方形成顶部源/漏层；用金属栅极替代该伪栅极；以及形成自对准源、漏及栅极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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