[发明专利]超细纳米晶锗基材料、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201710893642.2 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107706385B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 邱新平;罗飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/02 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 张皓;李维盈 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超细纳米晶锗基材料、其制备方法及其应用。所述超细纳米晶锗基材料的X射线衍射谱(XRD)主峰位置2θ范围在26°‑28°之间，所述衍射峰主峰半高宽为0.3rad‑1.6rad，所述纳米晶尺寸为2nm‑20nm。所述超细纳米晶锗基材料具有容量高、循环稳定的特点。所述超细纳米晶锗基材料的制备方法，该方法简单易行、成本低廉、可大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 基材 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种超细纳米晶锗基材料，其特征在于，所述超细纳米晶锗基材料的X射线衍射谱(XRD)主峰位置2θ范围在26°‑28°之间，所述衍射峰主峰半高宽为0.3rad‑1.6rad，所述纳米晶尺寸为2nm‑20nm。
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