[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，多量子阱层包括多个第一子层，各个第一子层包括量子阱层和量子垒层，最靠近电子阻挡层的量子垒层包括多个第二子层和第三子层，各个第二子层包括第四子层、第五子层和第六子层，各个第四子层为铝镓氮层，各个第五子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，且各个第五子层中铟的掺杂位置靠近第六子层，各个第六子层为氮化镓层，第三子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，第三子层中镁和铟的掺杂浓度高于各个第五子层。本发明可增加空穴注入，提高LED的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括依次层叠的多个第一子层，各个所述第一子层包括量子阱层和层叠在所述量子阱层上的量子垒层，各个所述量子阱层为铟镓氮层，所述多量子阱层中除最靠近所述电子阻挡层的所述量子垒层之外的各个所述量子垒层为氮化镓层，其特征在于，所述多量子阱层中最靠近所述电子阻挡层的所述量子垒层包括依次层叠的多个第二子层，第三子层层叠在所述多个第二子层的最顶端的第二子层上，各个所述第二子层包括依次层叠的第四子层、第五子层和第六子层，各个所述第四子层为铝镓氮层，各个所述第五子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，且各个所述第五子层中铟的掺杂位置靠近同一个所述第二子层中的所述第六子层，各个所述第六子层为氮化镓层，所述第三子层为同时掺杂镁和铟的氮化镓层，所述第三子层中镁的掺杂浓度高于各个所述第五子层中镁的掺杂浓度，所述第三子层中铟的掺杂浓度高于各个所述第五子层中铟的掺杂浓度。