[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201710884386.0 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN108807152A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 彭泰彦;叶朝贵;吴英豪;陈志壕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3213;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法包括：定义第一芯与第二芯于硬掩模层上。方法亦包括沿着第一芯与第二芯的侧壁及上方沉积间隔物层，并形成牺牲材料于第一芯与第二芯之间的间隔物层上。牺牲材料包括无机氧化物。移除间隔物层的第一水平部份，以露出第一芯与第二芯。间隔物层的保留部份提供多个间隔物于第一芯与第二芯的侧壁上。方法亦包括移除第一芯与第二芯，并采用间隔物与牺牲材料作为蚀刻掩模，以图案化硬掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔物层 牺牲材料 半导体装置 间隔物 侧壁 移除 图案化硬掩模层 无机氧化物 蚀刻掩模 硬掩模层 水平部 沉积 保留 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：定义一第一芯与一第二芯于一硬掩模层上；沿着该第一芯与该第二芯的侧壁及上方沉积一间隔物层，形成一牺牲材料于该第一芯与该第二芯之间的该间隔物层上，其中该牺牲材料包括一无机氧化物；移除该间隔物层的第一水平部份，以露出该第一芯与该第二芯，其中该间隔物层的保留部份提供多个间隔物于该第一芯与该第二芯的侧壁上；移除该第一芯与该第二芯；以及采用该些间隔物与该牺牲材料作为一蚀刻掩模，以图案化该硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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