[发明专利]晶片的加工方法和研磨装置

摘要

提供晶片的加工方法和研磨装置，能够在进行了研磨之后迅速地转移到去疵层形成，能够加工出与设计一致的晶片。晶片的加工方法是使用研磨垫在晶片的背面上形成去疵层的方法，该方法包含如下工序：晶片保持工序(ST1)，将粘贴在晶片的正面上的BG带保持在卡盘工作台上；应变层去除工序(ST4)，一边对研磨垫提供研磨液一边使研磨垫和卡盘工作台旋转，并将应变层从晶片的背面去除；研磨液去除工序(ST5)，在实施了应变层去除工序(ST4)之后，从喷嘴朝向研磨垫提供冲洗液而将残留研磨液去除；以及去疵层形成工序(ST6)，一边对研磨垫和晶片提供不含磨粒的液一边使研磨垫和卡盘工作台旋转，并在晶片的背面上形成去疵层。

主权项

一种晶片的加工方法，使用具有莫氏硬度比晶片高的磨粒的研磨垫在晶片的背面上形成去疵层，在该晶片的正面上形成有器件，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：晶片保持工序，在晶片的正面上粘贴保护部件，将保护部件侧保持在卡盘工作台的保持面上；应变层去除工序，一边对该研磨垫提供研磨液一边使该研磨垫旋转，并且一边使该卡盘工作台旋转一边通过该研磨垫对晶片的背面进行研磨，从而将应变层从晶片的背面去除；研磨液去除工序，在实施了该应变层去除工序之后，从喷嘴朝向该研磨垫提供冲洗液，将该研磨垫所含的残留研磨液去除；以及去疵层形成工序，一边对该研磨垫和晶片提供不含磨粒的液一边使该研磨垫旋转，并且一边使该卡盘工作台旋转一边通过该研磨垫对晶片的背面进行研磨，从而在背面上形成去疵层。