[发明专利]半导体装置电阻器结构有效
| 申请号： | 201710860328.4 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN107863335B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 臧辉;沃斯·S·瓦特;席史·M·潘迪 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置电阻器结构，其电阻器本体通过电阻器介电材料层与衬底中的掺杂阱隔开。该掺杂阱由至少一个掺杂区定义且可在该掺杂阱中包括掺杂物梯度，以降低该电阻器结构的寄生电容，同时保持该衬底的散热属性。该电阻器本体形成于在该衬底上所沉积的介电层中的空腔中，该沉积可为并行制造的部分，例如形成浅沟槽隔离的部分，且该空腔可用该电阻器介电材料加衬。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电阻器 结构 | ||
【主权项】：
一种电阻器结构，包括：至少一个电阻器本体；电阻器介电材料，位于该至少一个电阻器本体下方；第一半导体材料的第一半导体层，位于该电阻器介电材料及该至少一个电阻器本体下方；阱，位于该电阻器介电材料下方的该第一半导体层中，该阱包括位于该至少一个电阻器本体下方的该第一半导体层的至少一个掺杂区；第一掺杂物，设于各该至少一个掺杂区中的该阱中，该第一掺杂物的类型及该第一掺杂物的至少一个浓度经选择以在该电阻器结构的操作电压在该阱中提供耗尽区。
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