[发明专利]形成保护层以防止形成泄漏路径有效
| 申请号： | 201710857999.5 | 申请日： | 2017-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN108122831B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 徐永昌;林郁翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在衬底上方形成栅极结构。栅极结构包括栅电极和位于栅电极上方的硬掩模。硬掩模包括第一介电材料。在栅极结构上方形成第一层间电介质(ILD)。第一ILD包括不同于第一介电材料的第二介电材料。在第一ILD中形成第一通孔。通过包括第一介电材料的间隔件围绕第一通孔的侧壁。在第一ILD上方形成第二ILD。在第二ILD中形成贯通孔。贯通孔暴露第一通孔。在贯通孔中形成保护层。去除保护层的底部。之后实施蚀刻工艺。保护层的剩余部分防止在蚀刻工艺期间蚀刻间隔件。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 保护层 防止 泄漏 路径 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：接收半导体器件，所述半导体器件包括第一层间电介质(ILD)和设置在所述第一层间电介质上方的第二层间电介质，其中，第一通孔设置在所述第一层间电介质中，并且其中，间隔件设置在所述第一通孔的侧壁上；在所述第二层间电介质中形成贯通孔，所述贯通孔暴露所述第一通孔；在所述贯通孔中形成保护层；以及在形成所述保护层之后实施蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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