[发明专利]横向蚀刻外延层的方法有效
| 申请号： | 201710851854.4 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109148582B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 李昆穆;张智强;杨崴翔;林哲宇;萧文助 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在外延的源极/漏极的成长制程中结合横向蚀刻以形成硅锗源极/漏极区的方法，举例来说，此方法可包含在基底上形成多个鳍，这些鳍中的每一个具有第一宽度，可在这些鳍上形成硅锗源极/漏极区，其中每一个硅锗源极/漏极区具有与第一宽度相同方向的第二宽度以及高度。此方法也可包含选择性地蚀刻硅锗源极/漏极区，例如经由横向蚀刻，以减少硅锗源极/漏极区的第二宽度。通过减少硅锗源极/漏极区的宽度，可以避免或将相邻的鳍之间的电性短路减至最低程度。此外，此方法可包含在硅锗源极/漏极区上方成长外延的盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 蚀刻 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向蚀刻外延层的方法，包括：在一基底上形成多个鳍，其中该些鳍中的每一个具有一第一宽度；在该些鳍上形成多个源极/漏极区，其中该些源极/漏极区中的每一个具有与该第一宽度在一共同方向上的一第二宽度和一高度；选择性地蚀刻该些源极/漏极区，以减少该些源极/漏极区的该第二宽度；以及在该些源极/漏极区上方成长一外延盖层。
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