[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710851840.2 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN108122830B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 陈乃嘉;郭研究;郑宇利;赵俊泓;周俊利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置与其形成方法包括将蚀刻停止层置于导电单元上，且蚀刻停止层的材料可为氧化铝。将介电层置于蚀刻停止层上，并将硬遮罩置于介电层上。硬遮罩层的材料可为氮化钛。形成开口至蚀刻停止层，选择性地移除硬遮罩材料，接着选择性地移除蚀刻停止层的材料，使开口延伸穿过蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的形成方法，包括：形成一开口穿过一硬遮罩层与一介电层，其中该开口露出一蚀刻停止层；选择性地移除该硬遮罩层，且实质上不移除该蚀刻停止层的材料；以及在移除该硬遮罩层后，选择性地移除部份该蚀刻停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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