[发明专利]一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池在审
| 申请号： | 201710849974.0 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN107785093A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张子庚;张瑜桀;张核元;张镁元;任琤;任易 | 申请（专利权）人： | 壹号元素（广州）科技有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 宋静娜,郝传鑫 |
| 地址： | 510000 广东省广州市高新技术产业*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源；所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线，所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结，所述多个纳米线相互交错设于宽禁带半导体纳米线层内，所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极与顶部电极之间，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层和顶部电极之间。本发明所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，使用的能量转换材料为半导体纳米线，最大限度地提高放射源衰变粒子的利用率，且通过并联或串联方式实现多组电池单元多层堆垛集成封装，可达到高的单位体积输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无序 排列 宽禁带 半导体 纳米 同位素 电池 | ||
【主权项】：
一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源；所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线，所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结，所述多个纳米线相互交错设于宽禁带半导体纳米线层内，所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极和顶部电极之间，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层与顶部电极之间。
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