[发明专利]应用量子点色彩转换的发光装置及其制造方法

摘要

本发明提出一发光装置，包含：覆晶式LED芯片；光致发光结构，设置于LED芯片上；及湿气阻隔反射结构，覆盖光致发光结构的侧面及LED芯片的立面。光致发光结构包括依序堆栈的第一光致发光层、光透明隔离层、第二光致发光层及光透明湿气阻隔层。在一较佳实施例中，LED芯片发出蓝光，第一光致发光层包含红色荧光材料，第二光致发光层包含绿色量子点；藉此，第一光致发光层的红色荧光材料可先将较高能阶的蓝光部份转换为较低能阶的红光，降低了照射于绿色量子点的未被转换的蓝光强度，有效避免量子点的光氧化。本发明另提出上述发光装置的制造方法。

主权项

1.一种发光装置，包含：一覆晶式LED芯片，用以提供一第一光线，该第一光线为一蓝光、一深蓝光、一紫光或一紫外光；一光致发光结构，设置于该覆晶式LED芯片的一上表面上、且包括一第一光致发光层、一光透明隔离层、一第二光致发光层及一光透明湿气阻隔层，该光透明隔离层设置于该第一光致发光层上，该第二光致发光层设置于该光透明隔离层上，而该光透明湿气阻隔层设置于该第二光致发光层上，其中，该第一光致发光层包含一第一高分子材料及混合于该第一高分子材料中的一较低激发能阶的荧光材料，而该第二光致发光层包含一第二高分子材料及混合于该第二高分子材料中的一较高激发能阶的量子点材料；以及一湿气阻隔反射结构，覆盖该光致发光结构的一侧面及该覆晶式LED芯片的一立面，且不低于该覆晶式LED芯片的一电极面；其中，该第一光致发光层的该较低激发能阶的荧光材料用以将该第一光线的一部份转换为一较长波长的可见光，使得该未被转换的另一部份的该第一光线的光强度不大于该较高激发能阶的量子点材料所能承受的光强度。