[发明专利]一种图形转移方法

摘要

本发明公开了一种图形转移方法，包括：通过光刻工艺沉积可溶解金属于氧化薄膜层的部分区域，以将掩模版上的目标图形转移至氧化薄膜层上的可溶解金属层；涂覆PMMA，以在氧化薄膜层上未被可溶解金属层覆盖的区域和覆盖氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层；通过反应离子刻蚀，使可溶解金属层上的PMMA层被完全刻蚀以露出可溶解金属层，氧化薄膜层上未被可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层；腐蚀去氧化薄膜层上的可溶解金属层，以将可溶解金属层上的目标图形转移至未被可溶解金属层覆盖的区域的PMMA层；将带有目标图形的PMMA层从氧化薄膜层上剥离。本发明解决了现有技术中在半导体小加工面或者非平整加工区域加工难度大的技术问题。

主权项

1.一种图形转移方法，其特征在于，包括：在晶圆衬底表面形成氧化薄膜层；通过光刻工艺形成可溶解金属层于所述氧化薄膜层上的部分区域，以将掩模版上的目标图形转移至所述氧化薄膜层上的可溶解金属层，所述可溶解金属层为镍；涂覆PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，以在所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域和覆盖所述氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层，涂覆PMMA的厚度小于或等于所述可溶解金属层的厚度的一半；通过反应离子刻蚀，以使所述可溶解金属层上的PMMA被完全刻蚀以露出所述可溶解金属层，以及所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层；通过过硫酸钾溶液浸泡，腐蚀去除所述氧化薄膜层上的可溶解金属层，以将所述可溶解金属层上的目标图形转移至未被所述可溶解金属层覆盖的区域上的PMMA层；将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离。