[发明专利]一种基于纳米NiO/AlGaN异质结构的倒置式快速紫外光响应器件及制备方法在审
申请号: | 201710802973.0 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN107799624A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 于乃森;陈向丰;齐岩;董大朋;赵海燕 | 申请(专利权)人: | 大连民族大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 大连一通专利代理事务所(普通合伙)21233 | 代理人: | 郭丽华 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种基于纳米NiO/AlGaN异质结构的倒置式快速紫外光响应器件,其基底层为蓝宝石衬底;纳米NiO/AlGaN异质结构层包括AlN高温缓冲层、AlGaN薄膜层、NiO籽晶层及纳米NiO片状结构层;透明接触电极层是具有0.1cm沟道并镀有ITO透明电极的玻璃基片层。并且该纳米NiO/AlGaN异质结构层中,异质结构为在n‑AlGaN薄膜表面生长的纳米NiO片状结构层。采用低压MOCVD方法生长,先在n‑AlGaN表面生长NiO籽晶层,然后生长NiO纳米片状结构层。最后将NiO纳米片状结构与透明电极的玻璃基片相贴合构建简单的紫外光响应器件。本发明的产品对紫外光有着非常好的光响应,制备不需要催化剂,生长温度低,重复性好,操作简单,制造成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 nio algan 结构 倒置 快速 紫外光 响应 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于纳米NiO/AlGaN异质结构的倒置式快速紫外光响应器件,其特征在于:其包括蓝宝石基底层、纳米NiO/AlGaN异质结构层和透明电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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