[发明专利]一种基于纳米NiO/AlGaN异质结构的倒置式快速紫外光响应器件及制备方法在审

专利信息
申请号: 201710802973.0 申请日: 2017-09-08
公开(公告)号: CN107799624A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 于乃森;陈向丰;齐岩;董大朋;赵海燕 申请(专利权)人: 大连民族大学
主分类号: H01L31/109 分类号: H01L31/109;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 大连一通专利代理事务所(普通合伙)21233 代理人: 郭丽华
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种基于纳米NiO/AlGaN异质结构的倒置式快速紫外光响应器件,其基底层为蓝宝石衬底;纳米NiO/AlGaN异质结构层包括AlN高温缓冲层、AlGaN薄膜层、NiO籽晶层及纳米NiO片状结构层;透明接触电极层是具有0.1cm沟道并镀有ITO透明电极的玻璃基片层。并且该纳米NiO/AlGaN异质结构层中,异质结构为在n‑AlGaN薄膜表面生长的纳米NiO片状结构层。采用低压MOCVD方法生长,先在n‑AlGaN表面生长NiO籽晶层,然后生长NiO纳米片状结构层。最后将NiO纳米片状结构与透明电极的玻璃基片相贴合构建简单的紫外光响应器件。本发明的产品对紫外光有着非常好的光响应,制备不需要催化剂,生长温度低,重复性好,操作简单,制造成本低。
搜索关键词: 一种 基于 纳米 nio algan 结构 倒置 快速 紫外光 响应 器件 制备 方法
【主权项】:
一种基于纳米NiO/AlGaN异质结构的倒置式快速紫外光响应器件,其特征在于:其包括蓝宝石基底层、纳米NiO/AlGaN异质结构层和透明电极层。
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