[发明专利]一种窄激发角SPR传感芯片在审
| 申请号： | 201710801887.8 | 申请日： | 2017-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN107356563A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 张蓓;刘雨;闫鹏 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄激发角SPR传感芯片，涉及微纳传感领域，尤其涉及表面等离子体传感领域。传感芯片包括玻璃基底、黏附层和两层金属层。玻璃基底厚度在100至200微米。黏附层起黏附玻璃基底和金属层作用，黏附层厚度在1‑5纳米。黏附层上是银纳米层，银层的厚度在30到50纳米之间。银层上覆盖金纳米层，金层的厚度在1‑10纳米，金层覆盖在银层之上以防止银层硫化或氧化。这种SPR传感芯片具有更好的品质因子以及更窄的SPR激发角。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激发 spr 传感 芯片 | ||
【主权项】：
一种窄激发角SPR传感芯片，其特征在于，包括：玻璃基底、黏附层和两层金属层；其中，所述的玻璃基底由高折射率材料构成，玻璃基底的厚度在100到200微米，黏附层起黏附玻璃基底和金属层作用，黏附层厚度在1‑5纳米，黏附层上是银纳米层，银层的厚度在30到50纳米之间，银层上覆盖金纳米层，金层的厚度在1‑10纳米。
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