[发明专利]L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法在审
| 申请号： | 201710777762.6 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN107612509A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 徐日红;费文军;陈兴盛;李金晶;蔡庆刚;汪伦源;张丽 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所 |
| 主分类号： | H03F1/00 | 分类号： | H03F1/00;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 邹飞艳,张苗 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及微波模块制作加工工艺的技术领域，公开了一种L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法，该加工方法包括步骤1，将裸芯片共晶至钼铜载体上进行备用得到A；步骤2，将绝缘子和电路板烧结到壳体上得到B；步骤3，将元器件烧结到电路板上得到C；步骤4，在相应位置金丝键合D；步骤5，逐步进行调试、测试、封盖和打标，得到L波段120瓦小型化高功率放大器。该L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法能够实现输出功率高、增益高、能量转化效率高而且轻量化体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 波段 120 小型化 功率放大器 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法，其特征在于，该加工方法包括：步骤1，将裸芯片共晶至钼铜载体上进行备用得到A；步骤2，将绝缘子和电路板烧结到壳体上得到B；步骤3，将元器件烧结到电路板上得到C；步骤4，在相应位置金丝键合D；步骤5，逐步进行调试、测试、封盖和打标，得到L波段120瓦小型化高功率放大器。
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