[发明专利]含硅底层在审
| 申请号： | 201710741024.6 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107797380A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | C·A·卡特勒;S·M·科利;O·昂加依;C·P·沙利文;P·J·拉博姆;L·崔;S·山田;M·李;J·F·卡梅伦 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;C08G77/20;C08F220/28;C08F220/18;C08F220/14;C08F234/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈哲锋,胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供包含一种或多种包含含Si‑O键的主链的含硅聚合物、一种或多种有机掺合物聚合物和固化催化剂的可湿剥离底层组合物。这些组合物适用于制造各种电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 底层 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：(a)用包含一种或多种包含含Si‑O键的主链的可固化含硅聚合物、一种或多种有机掺合物聚合物和一种或多种有机溶剂的涂料组合物涂布衬底以在所述衬底上形成可固化含硅聚合物层；(b)固化所述含硅聚合物层以形成硅氧烷底层；(c)在所述硅氧烷底层上安置光致抗蚀剂层；(d)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以形成潜像；(e)对所述潜像显影以形成在其中具有浮雕图像的图案化光致抗蚀剂层；(f)将所述浮雕图像转移至所述衬底；和(g)通过湿式剥离去除所述硅氧烷底层。
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