[发明专利]一种高性能SiC@NiCo2O4/Ni(OH)2复合超级电容器正极材料在审

专利信息
申请号: 201710738673.0 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107833757A 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 李镇江;赵健;孟阿兰;张猛 申请(专利权)人: 青岛科技大学
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/24;B82Y30/00
代理公司: 青岛中天汇智知识产权代理有限公司37241 代理人: 郝团代
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种高性能SiC@NiCo2O4/(NiOH)2复合超级电容器正极材料,属新能源存储领域。本发明采用电沉积法在SiC纳米线上制备了整齐排列的NiCo2O4/(NiOH)2混合纳米片阵列,并且NiCo2O4纳米片的尺寸较大,分散均匀,(NiOH)2纳米片的尺寸较小,垂直交叉生长在NiCo2O4纳米片表面,且片与片之间形成了充足的自由空隙;本发明制得的SiC@NiCo2O4(NiOH)2复合材料具有优异的电化学性能,其最大质量比电容值为2580F/g,并且经过3000圈循环后,其比电容仍能保持原比电容的91.5%,这为构筑新一代高性能超级电容器提供了优质的候选正极材料。
搜索关键词: 一种 性能 sic nico2o4 ni oh 复合 超级 电容器 正极 材料
【主权项】:
一种高性能SiC@NiCo2O4/(NiOH)2复合超级电容器正极材料,其特征在于:所述复合电极材料的内核为SiC纳米线,外壳为整齐排列的NiCo2O4/(NiOH)2混合纳米片阵列,具体制备过程包括:首次,以SiC纳米线为骨架材料,采用循环伏安法在其表面沉积NiCo2O4前驱体,然后经过煅烧处理得到SiC@NiCo2O4,其次,采用恒电位法,再在SiC@NiCo2O4的表面上沉积(NiOH)2,得到SiC@NiCo2O4/(NiOH)2复合超级电容器正极材料。
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