[发明专利]低电压互补式金属氧化物半导体电路和相关存储器有效
| 申请号： | 201710737307.3 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107785046B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 伊东清夫 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电压互补式金属氧化物半导体电路和相关存储器。所述存储器包含多个存储单元和多个外围电路。所述多个存储单元中的每一存储单元包含两反相器，所述两反相器的第一反相器由一第一电源轨和一第二电源轨供电，所述第二反相器由一第三电源轨和一第四电源轨供电，其中一第一电压差施加跨在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间，一第二电压差施加跨在所述第三电源轨和所述第四电源轨之间，及所述第一电压差小于所述第二电压差。所述多个外围电路使用对应多个升压电压和栅源极差分驱动的技术的至少一个。因此，本发明不仅可允许所述存储器内的基本逻辑电路操作在低电压，低功率和高速下，而且还可减少所述存储器的必要电源电压的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 互补 金属 氧化物 半导体 电路 相关 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器，包含：多个存储单元，其中所述多个存储单元中的每一存储单元包含两互相交叉耦合的反相器，所述两反相器的第一反相器电连接一位线和所述两反相器的第二反相器以及由一第一电源轨和一第二电源轨供电，所述第二反相器由一第三电源轨和一第四电源轨供电，其中一第一电压差施加跨在所述第一电源轨和所述第二电源轨之间，一第二电压差施加跨在所述第三电源轨和所述第四电源轨之间，以及所述第一电压差小于所述第二电压差；及其特征在于还包含：多个外围电路，其中所述多个外围电路使用对应多个升压电压和栅源极差分驱动的技术的至少一个。
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