[发明专利]水氧自阻隔型量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201710736431.8 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109423619A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨成玉;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种水氧自阻隔型量子点，包括量子点以及包覆在所述量子点表面的氧化铝层。本发明提供的水氧自阻隔型量子点，在量子点表面包覆有能够隔绝水氧的氧化铝层，赋予量子点水氧自阻隔性能。所述水氧自阻隔型量子点不需要在量子点材料层表面额外设置水氧阻隔层，从而可以显著降低器件制作和应用成本，同时，氧化铝包覆层的引入可减少量子点的表面缺陷态，从而使电子和空穴能够直接有效的复合发光，提高界面电子与空穴的复合几率，进而提高量子点的使用效率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 水氧 阻隔型 空穴 量子点表面 氧化铝层 包覆 氧化铝包覆层 表面缺陷态 量子点材料 水氧阻隔层 复合发光 复合几率 降低器件 使用寿命 使用效率 应用成本 阻隔性能 量子 制备 引入 赋予 制作 | ||
【主权项】：
1.一种水氧自阻隔型量子点，其特征在于，包括量子点以及包覆在所述量子点表面的氧化铝层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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