[发明专利]一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法

摘要

本发明公开一种新型硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，所述高浓度N型掺杂(28)浮接，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、基体(80)与高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,高浓度N型掺杂(22)与高浓度N型掺杂(24)之间上方放置N型栅极(50)。

主权项

1.一种新型硅控整流器型ESD保护结构，其特征在于，该ESD保护结构包括：半导体衬底(80)；生成于所述半导体衬底中的N阱(60)和P阱(70)；第一高浓度P型掺杂(20)、第一高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，第一高浓度P型掺杂(20)、N阱(60)以及P阱(70)构成等效PNP三极管结构，所述第一高浓度N型掺杂(28)浮接，第三高浓度N型掺杂(24)、第二高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，N阱(60)、半导体衬底(80)/P阱(70)与第三高浓度N型掺杂(24)构成等效NPN三极管结构，第二高浓度N型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上方,第二高浓度N型掺杂(22)与第三高浓度N型掺杂(24)之间的上方放置N型栅极(50)；所述第一高浓度N型掺杂(28)位于所述第一高浓度P型掺杂(20)和第二高浓度N型掺杂(22)之间；利用金属连接所述第一高浓度P型掺杂(20)、第二高浓度N型掺杂(22)构成该ESD保护结构的阳极A；调节所述浮接的第一高浓度N型掺杂(28)的大小，深度，以及该第一高浓度N型掺杂(28)与所述第一高浓度P型掺杂(20)之间的距离来调节维持电压，该第一高浓度N型掺杂(28)与所述第一高浓度P型掺杂(20)之间的距离典型范围为0.5～20um。