[发明专利]一种三维存储器的制备方法及其结构

摘要

本发明提供的一种三维存储器的制备方法及其结构，在基板的表面，外延硅柱的侧壁以及L型的转角区形成第一二氧化硅薄膜，接着去除所述第一二氧化硅薄膜，接着在所述基板的表面，所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第二二氧化硅薄膜，可以使栅氧结构层的厚度在外延硅柱与硅衬底表面的L型转角处厚度均匀、圆滑，避免由于L型转角处的栅氧结构层厚度较薄以及尖角的存在而导致的电荷泄露发生，提高产品电性的稳定性和产品良率。

主权项

1.一种三维存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板上形成三维存储器的阵列存储区；在所述阵列存储区中形成接触通孔以暴露所述基板，在所述接触通孔底部暴露的基板上形成外延硅柱，所述外延硅柱的侧壁与所述基板形成L型的转角区；在所述基板的表面，所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第一二氧化硅薄膜；去除所述第一二氧化硅薄膜，去除所述二氧化硅薄膜后所述L型转角区从尖角的形貌转变为圆弧的形貌；在所述基板的表面，所述外延硅柱的侧壁以及所述L型的转角区形成第二二氧化硅薄膜，所述第二二氧化硅薄膜在所述基板与所述外延硅柱的侧壁形成的L型转角区具有圆弧的形貌，所述第一二氧化硅薄膜的厚度为20埃至50埃，其特征在于，所述形成第一二氧化硅薄膜的工艺为低温干氧法，所述低温干氧法的生长温度为700摄氏度至800摄氏度之间，生长气氛为氧气，不含氢气和水蒸气。