[发明专利]一种三维存储器件的制造方法及其器件结构

摘要

本发明提供的一种三维存储器件的制造方法及其器件结构，通过在常规的化学机械抛光工艺对三维存储器件的平坦化工艺之后，进一步施加刻蚀工艺，将前述平坦化工艺之后未能有效去除的二氧化硅层残留在器件表面的尖角突出部移除，从而使三维存储器件的表面得到有效的平坦化处理，进而减小由于该尖角部的残留而引起后续薄膜工艺步骤中带来的各种缺陷产生，从而提高三维存储器件的工艺稳定性，提高器件的良率。

主权项

1.一种三维存储器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，所述基板上分别形成三维存储器件区以及位于所述三维存储器件区周围的外围电路区，所述三维存储器件区包括位于所述基板上依次形成的多层存储器堆叠结构，所述堆叠结构在其至少一侧形成台阶结构，所述堆叠结构的高度高于所述外围电路区的高度；在所述基板上依次形成第一缓冲层，介质层以及阻挡层以覆盖所述三维存储器件区以及所述外围电路区，并且所述第一缓冲层，介质层以及阻挡层的总厚度满足能够填平所述三维存储器件区与所述外围电路区的高度差；利用微影和刻蚀工艺分别形成连接三维存储器件区和外围电路区的开口；对所述基板进行第一次平坦化处理，以露出所述三维存储器件的顶部，并且所述第一缓冲层的至少一部分突出于所述顶部形成残留尖角部；利用刻蚀工艺将所述残留尖角部刻蚀掉；在所述基板上沉积第二缓冲层；对所述基板进行第二次平坦化处理，以形成平整的器件表面。