[发明专利]一种介质填充的金属光栅-半导体SPP源及其制作方法有效
| 申请号： | 201710717626.8 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107508023B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘文杰;金崇君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01P3/08 | 分类号： | H01P3/08 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张玲春 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质填充的金属光栅‑半导体复合结构的SPP源及其制作方法。该介质填充的金属光栅‑半导体复合结构的SPP源其结构主要包括：第一金属层、衬底、半导体外延层、第二金属层、介质层。其中，第二金属层包括金属光栅结构，介质层填充金属光栅。介质层起到波导作用，将传播的SPP限制在波导层中传播，提高光的输出光的萃取效率，单向耦合效率以及单向比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 填充 金属 光栅 半导体 spp 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种介质填充的金属光栅‑半导体复合结构的SPP源，其特征在于：包括第一金属层、衬底、半导体外延层、第二金属层及介质层；所述第二金属层包括金属光栅结构，所述介质层填充该金属光栅。
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