[发明专利]门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块在审
| 申请号： | 201710696390.4 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107342313A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 杨贺雅;罗浩泽;梅烨 | 申请（专利权）人： | 杭州浙阳电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块。包括四个功率电势区域和三个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连接到相邻的功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间和第三、第四功率电势区域之间设有第二辅助电势区域，沿第二方向上第一辅助电势区域和第一或者第三功率电势区域之间设有第一辅助电势区域，在第二、第一功率电势区域之间以及第三、第一功率电势区域之间设有第三辅助电势区域，第二、第三辅助电势区域之间电连接。与现有技术相比，本发明提供的功率半导体模块的优势在于可使功率开关各芯片的控制回路杂散参数均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 门极杂散 均衡 衬底 及其 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
一种门极杂散均衡衬底，其特征在于：包括四个功率电势区域(10,11,12,13)和三个辅助电势区域(60,61,62)，四个功率电势区域(10,11,12,13)为依次间隔布置的第二功率电势区域(11)、第一功率电势区域(10)、第三功率电势区域(12)、第四功率电势区域(13)；在第一功率电势区域(10)和第三功率电势区域(12)上均安装有多个功率开关(20)，每个功率开关(20)由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相互并联并且通过功率连接装置(30)连接到与自身所在功率电势区域相邻的功率电势区域上；第一功率电势区域(10)和第二功率电势区域(11)之间以及第三功率电势区域(12)和第四功率电势区域(13)之间设有第二辅助电势区域(61)，沿第二方向(52)上第一辅助电势区域(60)和第一功率电势区域(10)或者第三功率电势区域(12)之间设有与各个功率开关(20)对应连接的第一辅助电势区域(60)，第一辅助电势区域(60)经无源元件(80)连接到第二辅助电势区域(61)；在第二功率电势区域(11)边角和第一功率电势区域(10)之间以及第三功率电势区域(12)边角和第一功率电势区域(10)之间设有第三辅助电势区域(62)，第二辅助电势区域(61)与第三辅助电势区域(62)之间通过第二、第三辅助连接装置(71,72)电连接，每个功率开关(20)的控制电极与其对应的第一辅助电势区域(60)通过第一辅助连接装置(70)电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州浙阳电气有限公司，未经杭州浙阳电气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710696390.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
