[发明专利]一种多量子阱空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法

摘要

本发明公开了一种多量子阱空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，它是分别在中电池和顶电池的基区和发射区中间加入多量子阱层结构，即本发明通过在中电池的p‑GaInAs基区层和n‑GaInAs发射区层之间、顶电池的p‑GaInP基区层和n‑GaInP发射区层之间分别引入GaAsP/GaInAs量子阱层和GaInP/AlGaInP量子阱层，因而能加宽电池的吸收光谱宽度，使电池的耗尽层变宽，改善电池的抗辐照性能，少数光生载流子的扩散长度增大，光生载流子的收集效率提升，减少光生载流子的辐射复合，从而提高了空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的光电转化效率，使电池性能进一步改善。

主权项

一种多量子阱空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法，其特征在于：在由GaInAs基区层、发射区层、AlGaAs背场层、AlInP窗口层构成的中电池中引入GaAsP/GaInAs量子阱层，在由GaInP基区层、发射区层、AlGaInP背场层、AlInP窗口层构成的顶电池中引入GaInP/AlGaInP量子阱层，具体步骤如下：提供一p‑Ge衬底，在p‑Ge衬底上依次外延生长n‑AlGaInP成核层，n‑GaAs/ n‑GaInAs缓冲层，n++‑GaAs/p++‑GaAs隧穿结层，p‑AlGaAs/p‑AlGaInAs (DBR)反射层，p‑AlGaAs 背场层，p‑GaInAs基区层，GaAsP/GaInAs量子阱层，n‑GaInAs发射区层，n‑AlInP窗口层，n++‑GaInP/p++‑AlGaAs隧穿结层，p‑AlGaInP背场层，p‑GaInP基区层，GaInP/AlGaInP量子阱层，n‑GaInP发射区层，n‑AlInP窗口层和n+‑GaAs欧姆接触层。