[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710656780.9 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109390209B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉;任小兵;刘群 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;翟海青 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成有凸起结构；使用含氧等离子体对所述半导体衬底的表面进行处理，以在所述半导体衬底的表面形成粗糙的氧化层。该粗糙的氧化层可以使掩膜层在衬底表面的流动速度相对减缓，在凸起结构和衬底表面的高低落差处掩膜层的厚度之间的差异减小，进而改善掩膜层对曝光能力的反馈的一致性，改善后续形成的源极/漏极关键尺寸的一致性，并且能够增加半导体衬底表面和掩膜层之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成有凸起结构；使用含氧等离子体对所述半导体衬底的表面进行处理，以在所述半导体衬底的表面形成粗糙的氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
