[发明专利]扇出型封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201710652341.0 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107301983A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/29 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出型封装结构及其制备方法，所述扇出型封装结构包括重新布线层；半导体芯片，位于重新布线层的第一表面；第一塑封材料层，位于重新布线层的第一表面；第二塑封材料层，位于第一塑封材料层远离重新布线层的表面；焊料凸块，位于重新布线层的第二表面。本发明的扇出型封装结构通过形成两层不同材料的塑封材料层，可以有效释放由于热膨胀或收缩产生的热应力，从而有效避免所述扇出型封装结构产生翘曲，进而避免对其内部的半导体芯片发生破裂，不会影响后续制程对所述扇出型封装结构的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
扇出型封装结构，其特征在于，所述扇出型封装结构包括：重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面；半导体芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；第一塑封材料层，位于所述重新布线层的第一表面，所述第一塑封材料层填满所述半导体芯片之间的间隙，并将所述半导体芯片封裹塑封；第二塑封材料层，位于所述第一塑封材料层远离所述重新布线层的表面，所述第二塑封材料层与所述第一塑封材料层为不同材料的塑封材料层；焊料凸块，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接。
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