[发明专利]一种二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合结构近红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合结构近红外光电探测器及其制备方法，该近红外光电探测器为低维材料复合结构近红外光电探测器，具体是指利用二硒化钨(WSe₂)与氧化铟(In₂O₃)纳米线之间功函数的差异，在这两种材料界面处形成能带弯曲，近红外光激发WSe₂中的载流子积累在界面处，所形成的局域电场对In₂O₃纳米线沟道电导率进行调控，同时通过外加偏压的施加使得器件工作在暗电流极低的耗尽区，提高近红外探测器的光响应率和探测率。

主权项

1.一种二硒化钨薄片/氧化铟纳米线复合结构近红外光电探测器，其特征在于：该近红外光电探测器包括Si/SiO2衬底、源电极、漏电极、氧化铟纳米线和二硒化钨薄片；所述的源电极、漏电极、氧化铟纳米线和二硒化钨薄片均位于Si/SiO2衬底上，氧化铟纳米线的一端与源电极相连，氧化铟纳米线的另一端与漏电极相连，二硒化钨薄片搭在氧化铟纳米线上，即二硒化钨薄片的中间部分位于氧化铟纳米线上。