[发明专利]一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺在审
申请号: | 201710615682.0 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109308994A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,包括以下步骤:硅片双面减薄:使用腐蚀液对硅片进行双面腐蚀,去除表面损伤层;扩散前处理:对减薄后的硅片依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗、甩干;印刷扩散源:采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源,另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源;叠片装舟:将硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对,将磷源面与磷源面相对进行叠片,叠片后放入碳化硅舟中,在前后位置放置挡片。本发明的有益效果是使得在硅片上涂覆扩散源的工艺更加简单,能够实现硅片扩散源涂覆的自动化,节省劳动力,提高了扩散源涂覆的工作效率,且磷源和硼源在硅片上的涂覆一致性好,安全环保。 | ||
搜索关键词: | 硅片 扩散源 叠片 磷源 硼源 涂覆 丝网印刷技术 硼铝源 印刷 减薄 涂源 溢水 清洗 丝网印刷工艺 表面损伤层 涂覆一致性 安全环保 工作效率 硅片扩散 硅片双面 硼铝扩散 前后位置 双面腐蚀 碳化硅舟 腐蚀液 碱处理 磷扩散 硼扩散 前处理 酸清洗 挡片 放入 甩干 去除 自动化 扩散 | ||
【主权项】:
1.一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)印刷扩散源:采用丝网印刷技术对扩散前处理后的硅片一面印刷磷扩散源,另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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