[发明专利]热处理设备和热处理方法有效
申请号: | 201710615057.6 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107658226B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 沈亨基;金泰俊;崔东奎;张民奎 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种热处理设备以及热处理方法,热处理设备用于通过用光照射衬底来热处理衬底。热处理设备包含:台,衬底安放于台上;以及气体喷射模块,其被安置为面对台,且具备经配置以在台安置的方向上导引光的气室以及安置于气室的一个侧面中以将气体供应到气室的第一气体供应源。第一气体供应源包含通路部件,通路部件安装于气体移动到气室所沿着的路径上且经配置以过滤和扩散气体以将气体供应到气室。制程期间由于惰性气体在通过通路部件的同时被过滤,因此朝向衬底喷射不具有不纯粒子的惰性气体,且因此可以防止衬底或薄膜由于惰性气体而带来的污染。 | ||
搜索关键词: | 热处理 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种热处理设备,用于通过用光照射衬底来热处理所述衬底,其特征在于,所述热处理设备包括:台,所述衬底安放于所述台上;以及气体喷射模块,其被安置为面对所述台,所述气体喷射模块包括经配置以在所述台安置的方向上导引所述光的气室以及安置于所述气室的一个侧面中以将气体供应到所述气室的第一气体供应源,其中所述第一气体供应源包括通路部件,所述通路部件安装于所述气体移动到所述气室所沿着的路径上,且所述通路部件经配置以过滤和扩散所述气体以将所述气体供应到所述气室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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