[发明专利]一种提高NAND flash读速度的方法及装置

摘要

本发明公开一种提高NAND flash读速度的方法及装置，本发明将重读操作放进硬件中实现，当出现错误比特数超出ECC纠错范围时，自动触发重读操作，不需软件再配置一遍命令，节省了CPU访问底层的时间；其次本发明允许CPU更新重读参数，动态调整重读参数，最大限度的提高重读命中率，硬件从最优的电压参数进行配置，减少重读次数，从而提高读速度。本装置保留原有传统软件控制重读的功能，同时也可以选择由硬件主动发起重读；硬件自动重读，省去了中断时间和CPU处理配置时间；CPU可以根据重读结果，对SRAM中的重读参数进行调整，也可以调整普通读命令时的读电压，双重保障，提高重读命中率，降低重读次数，从而提高flash的读速度。

主权项

一种提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：通过以下系统实现，该系统包括NAND控制系统和重读模块，NAND控制系统包括NAND控制器和寄存器，NAND控制器内设置纠错模块，重读模块内置重读命令序列，纠错模块和寄存器通过逻辑与运算器连接至选择器，重读模块通过选择器连接至NAND控制器；工作时，由CPU配置寄存器，决定是否使能自动重读功能；如果不使能，则不开启重读模块；纠错模块发生错误溢出时，产生中断，由CPU控制整个系统向寄存器重新写入新的命令；如果使能自动重读功能，发生错误溢出时，NAND控制系统从重读模块读入重读命令序列，开始重读，当前页数据全部正确读出或读失败，结束重读过程，重读模块向寄存器中写入重读结果中断位、重读成功的参数，之后CPU控制整个系统进行后续处理。