[发明专利]单侧功率装置封装体有效
| 申请号： | 201710598826.6 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107768355B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵应山 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技美国公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新;蔡洪贵 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些示例中，电路封装体包括绝缘层和延伸穿过所述绝缘层的第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括在所述绝缘层的顶侧的第一控制端子、在绝缘层的顶侧的第一源极端子和在绝缘层的底侧的第一漏极端子。所述电路封装体还包括延伸穿过所述绝缘层的第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括在绝缘层的顶侧的第二控制端子、在绝缘层的底侧的第二源极端子和在绝缘层的顶侧的第二漏极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 装置 封装 | ||
【主权项】：
一种电路封装体，包括：绝缘层；延伸穿过所述绝缘层的第一晶体管，所述第一晶体管包括：在绝缘层的顶侧的第一控制端子，在绝缘层的顶侧的第一源极端子，以及在绝缘层的底侧的第一漏极端子；以及延伸穿过所述绝缘层的第二晶体管，所述第二晶体管包括：在绝缘层的顶侧的第二控制端子，在绝缘层的底侧的第二源极端子，以及在绝缘层的顶侧的第二漏极端子。
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