[发明专利]MEMS麦克风及其形成方法有效
申请号: | 201710595887.7 | 申请日: | 2017-07-20 |
公开(公告)号: | CN109286886B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 张建华;汪新学 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R19/00;H04R31/00;B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种MEMS麦克风及其形成方法,其中方法包括:提供基底,基底包括相对的第一面和第二面,基底包括功能区和包围功能区的支撑区;在功能区基底第一面上形成背极膜,背极膜包括位于表面的第一背极膜,背极膜中具有背极孔,背极孔贯穿所述背极膜,背极孔中具有孔塞;在支撑区基底第一面上形成背极载膜,背极载膜与所述背极膜连接;在第一背极膜表面和所述孔塞上形成停止层,停止层的材料与所述第一背极膜的材料不相同;在停止层上形成阻挡层;对阻挡层进行第一图形化处理,形成阻挡件,阻挡件暴露出所述孔塞。停止层能够对所述第一图形化处理过程进行控制,减小第一背极膜的损耗,从而能够精确控制第一背极膜的厚度。 | ||
搜索关键词: | mems 麦克风 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS麦克风的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括相对的第一面和第二面,所述基底包括功能区和包围所述功能区的支撑区;在所述功能区基底第一面上形成背极膜,所述背极膜包括位于表面的第一背极膜,所述背极膜中具有背极孔,所述背极孔贯穿所述背极膜,所述背极孔中具有孔塞;在所述支撑区基底第一面上形成背极载膜,所述背极载膜与所述背极膜连接;在所述第一背极膜和所述孔塞上形成停止层,所述停止层的材料与所述第一背极膜的材料不相同;在所述停止层上形成阻挡层;对所述阻挡层进行第一图形化处理,形成阻挡件,所述阻挡件暴露出所述孔塞;形成所述阻挡件之后,在所述背极膜上形成振片膜,所述功能区振片膜与所述第一背极膜之间具有间隙,所述阻挡件位于所述间隙中。
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