[发明专利]用于电容式微加工超声换能器的偏置控制有效
申请号: | 201710587396.8 | 申请日: | 2017-07-18 |
公开(公告)号: | CN107626552B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | D·赵;Y·黄;庄雪锋 | 申请(专利权)人: | 珂纳医疗科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | B06B1/06 | 分类号: | B06B1/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 公开了一种用于电容式微加工超声换能器的偏置控制。在一些示例中,CMUT可包括多个电极,并且每个电极可包括多个子电极。例如,第一子电极和第二子电极可被设置在第三子电极的相对侧上。在一些情形中,第一偏置电压可被施加到第三子电极并且第二偏置电压可被施加到第一和第二子电极,同时使得第一子电极、第二子电极、或第三子电极中的至少一者发射和/或接收超声能量。例如,第二偏置电压可以以与第一偏置电压不同的电压量来进行施加,和/或可以以与第一偏置电压不同的时序来进行施加。 | ||
搜索关键词: | 子电极 偏置电压 电极 施加 超声换能器 偏置控制 电容 时序 超声能量 电压量 加工 发射 | ||
【主权项】:
1.一种系统,包括:电容式微加工超声换能器CMUT阵列,其具有多个电容式微加工超声换能器CMUT元件,所述电容式微加工超声换能器CMUT元件中的各个电容式微加工超声换能器CMUT元件包括:对应于所述阵列的第一偏置可控区域的第一子电极,对应于所述阵列的第二偏置可控区域的第二子电极,以及所述第一子电极与所述第二子电极之间的第三子电极,所述第三子电极对应于所述阵列的第三偏置可控区域;偏置电压源,所述偏置电压源用于将偏置电压供应至所述第一、第二、以及第三子电极;以及处理器,所述处理器被配置成控制所述偏置电压的施加,以在使用所述电容式微加工超声换能器CMUT阵列以进行成像期间将第一偏置电压施加到所述第三子电极并将第二偏置电压施加到所述第一与第二子电极,其中,所述第一偏置电压是以下各项中的至少一项:以与所述第二偏置电压不同的电压进行施加,或者以与所述第二偏置电压不同的时序进行施加。
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