[发明专利]低天线效应的集成电路以及降低集成电路天线效应的方法有效
| 申请号： | 201710574299.5 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107452718B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张克林;李呈;冯浪;李大刚 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 低天线效应的集成电路以及降低集成电路天线效应的方法，涉及集成电路技术。本发明的集成电路包括衬底区、源极、漏极、栅极和金属连线，栅极与金属连线之间为绝缘层，其特征在于，还包括一个泄放电容，泄放电容由第一泄放电容极板和第二泄放电容极板构成，第一泄放电容极板为设置于衬底区上表面和金属连线之间的泄放区极板，第二泄放电容极板为衬底区的上表面，或者为第二泄放电容极板与衬底区形成电连接的导电板；在第一泄放电容极板和金属连线之间设置泄放区孔。本发明将累积的等离子刻蚀产生电荷将会被泄放到衬底，从而起到防护天线效应的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 天线 效应 集成电路 以及 降低 方法 | ||
【主权项】：
1.低天线效应的集成电路，包括衬底区、源极、漏极、栅极和金属连线，栅极与衬底之间为栅氧绝缘层，栅极与金属连线之间为场氧绝缘层，其特征在于，还包括一个泄放电容，泄放电容由第一泄放电容极板和第二泄放电容极板构成，第一泄放电容极板为设置于衬底区上表面和金属连线之间的泄放区极板，第二泄放电容极板为衬底区的上表面，或者第二泄放电容极板为与衬底区形成电连接的导电板；在第一泄放电容极板和金属连线之间设置有泄放区孔；第一泄放电容极板与第二泄放电容极板之间填充有绝缘材料，其厚度与栅氧绝缘层相当；两个欧姆接触区分别设置在第二泄放电容极板的相对两端。
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