[发明专利]热处理方法有效
| 申请号： | 201710573685.2 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107658225B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 谷村英昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔炳哲;向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种以锗或硅锗为主要成分的p型半导体的热处理方法，利用该热处理方法，能够适当地控制掺杂剂的扩散。将形成有注入了硼等掺杂剂的锗的半导体层的基板搬入室(6)内。在向室(6)内供给含有氢气的处理气体而在半导体层的周围形成含有氢气的环境气体的状态下，由来自卤素灯(HL)的光照射预热半导体层。由此，利用氢气消除存在于半导体层的表面附近的空穴。然后，向半导体层照射来自闪光灯(FL)的闪光，将半导体层加热到处理温度。由于消除了半导体层的空穴，因此闪光加热时掺杂剂能够比较容易扩散，通过调整闪光照射的条件，能够适当地控制掺杂剂的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种热处理方法，该方法对以锗或硅锗为主要成分的p型半导体进行热处理，其特征在于，包括：搬入工序，将注入有掺杂剂的锗或硅锗的半导体层搬入室内；环境气体形成工序，向上述室导入含有氢气或氨气的处理气体；预热工序，在预热温度对上述半导体层进行预热；以及闪光加热工序，向上述半导体层照射来自闪光灯的闪光来加热到处理温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710573685.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维存储器的台阶结构及其形成方法
- 下一篇：热处理设备和热处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
