[发明专利]半导体开关控制装置有效
| 申请号： | 201710570445.7 | 申请日： | 2017-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN107623514B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 森本充晃 | 申请（专利权）人： | 矢崎总业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人： | 吴立;邹轶鲛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体开关控制装置，其能够在因短路等流有过电流的情况下抑制半导体开关的温度上升且适当地切断电流。半导体开关控制装置(1)包括设置在电池(3)的阳极和负载部(2)之间的FET(11)、设置在电池(3)的阴极和负载部(2)之间的FET(12)，在将比异常电流值大并且比最大电流值小的电流值作为电流限制值的情况下，其中，异常电流值表示流过FET(11)的第1漏极电流是过电流，最大电流值是FET(11)能够允许的第1漏极电流的最大电流值，将限制栅极电压施加在FET(12)，其中，限制栅极电压将第1漏极电流的电流值设定在电流限制值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体开关控制装置，其特征在于，包括：第1半导体开关，其设置在电源的阳极和负载部之间，使从所述电源流向所述负载部的电流通过或者切断；第2半导体开关，其设置在所述负载部和所述电源的阴极之间，根据施加的设定栅极电压来调整从所述负载部流向所述电源的电流，限制流过所述第1半导体开关的电流；控制部，其控制所述第1半导体开关以及所述第2半导体开关，所述控制部在将比异常电流值大并且比最大电流值小的电流值作为电流限制值的情况下，其中，所述异常电流值表示流过所述第1半导体开关的电流即第1半导体输入电流是过电流；所述最大电流值是比所述异常电流值大且所述第1半导体开关能够允许的电流的最大电流值，将限制栅极电压作为所述设定栅极电压施加在所述第2半导体开关，其中，该限制栅极电压将所述第1半导体输入电流的电流值设定在所述电流限制值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矢崎总业株式会社，未经矢崎总业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710570445.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无动力生物质制备炭、液、气多联产系统
- 下一篇：具有暖光效果的吸顶灯
